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    銻化銦(InSb)砷化鎵(GaAs)砷化銦(InAs)硅(Si)霍爾元件有什么區(qū)別如何選型?

    2020-09-23 09:54:06 4545

    銻化銦(InSb)砷化鎵(GaAs)砷化銦(InAs)硅(Si)霍爾元件有什么區(qū)別如何選型?

    霍爾元件由不同的半導(dǎo)體薄膜材料組成:由銻化銦(InSb)制成的超靈敏霍爾元件,由砷化銦(InAs)制成的高靈敏度霍爾元件和由砷化鎵(GaAs)制成的低漂移霍爾元件。但由于其靈敏度低,因此在表中所示的產(chǎn)品線中并未將其用作霍爾元件。硅(Si)是常見的霍爾元件材料之一,霍爾IC中使用硅?;魻栐撵`敏度與半導(dǎo)體材料的遷移率成正比。溫度特性受多種因素影響,但主要由帶隙決定。

    表1列出了當(dāng)前用作霍爾元件的主要半導(dǎo)體材料及其獨特特性。

    溫度特性和輸出電壓的靈敏度因霍爾元件的材料而異。用戶應(yīng)選擇適合其特定應(yīng)用的霍爾元件。各種霍爾元素類型的特征如下:

    ? InSb:在三種霍爾元件類型中最敏感。

    ? GaAs:在三種霍爾元件類型中最穩(wěn)定的溫度特性。

    ? InAs:該霍爾元件在靈敏度和溫度特性之間具有良好的平衡。

    圖顯示了使用恒定電流驅(qū)動且控制電流相同(IC = 5mA)的3種霍爾元件的輸出電壓特性。

    圖顯示了使用恒定電壓驅(qū)動且控制電壓相同(VC = 1V)的三種霍爾元件的輸出電壓特性。

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