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    磁傳感器高靈敏度銻化銦( InSb )霍爾效應(yīng)傳感器IC芯片元件

    2020-08-18 11:44:22 2992

    磁傳感器高靈敏度銻化銦( InSb )霍爾效應(yīng)傳感器IC芯片元件

    由銦和銻構(gòu)成的重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料。 因為其熔點(diǎn)低,熔點(diǎn)時的離解凍小,所以50年代制造了單晶體。

    銻化銦( InSb )是一種研究迅速、研究深入的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料。 其晶體呈銀色脆、閃鋅礦結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為6.48?,禁帶寬窄:0.18eV,電子遷移率高達(dá):7800cm2/V·s,可用于紅外探測器、光磁探測器和Hall器件的制備。 銻化銦的熔點(diǎn)為525℃,與其他Ⅲ-Ⅴ族化合物相比,生長單晶提純都非常簡易,因此多為Ⅲ-Ⅴ族化合物的固體理論研究時選擇的對象。

    銻化銦( InSb )霍爾效應(yīng)IC芯片元件

    銻化銦InSb單晶電子遷移率高,是非常好的霍爾元件、紅外探測元件、磁阻元件的襯底材料。 例如,與大氣透過窗對應(yīng)的3~5μm頻帶的攝像元件或InSb焦平面陣列元件。 在電荷注入裝置中,銻化銦InSb裝置的位數(shù)已達(dá)到128×128陣列。 3~5μm頻帶的InSb光伏檢測器,作為傳感器元件構(gòu)成的混合焦平面陣列也大幅發(fā)展,制作元數(shù)多的二維陣列。

    銻化銦( InSb )

    分子式:InSb

    分子量:236.578

    熔點(diǎn):535℃

    密度:5.76g/cm3

    制備:銻和銦的化合物。金屬銻和銦在高溫熔合而得。具閃鋅礦型結(jié)構(gòu)的晶體。

    銻化銦( InSb )霍爾元件

    Akm旭化成HW-108A,HW108線性霍爾元件

    AKM旭化成HW-102A,HW102A線性霍爾元件

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