臺(tái)灣MST美加電子科技MH193線性位置檢測(cè)雙極鎖存霍爾元件

超高靈敏度內(nèi)置下拉高分辨率霍爾效應(yīng)鎖存器

MH193霍爾效應(yīng)傳感器是溫度穩(wěn)定的，耐應(yīng)力傳感器。通過(guò)利用斬波器穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)偏移消除功能，可以實(shí)現(xiàn)卓越的高溫性能。這種方法降低了通常由器件過(guò)成型，溫度依賴性和熱應(yīng)力引起的偏移電壓。 MH193在單個(gè)硅芯片上包含以下組件：穩(wěn)壓器，霍爾電壓發(fā)生器，小信號(hào)放大器，斬波器穩(wěn)定，施密特觸發(fā)器，上拉電阻輸出。先進(jìn)的DMOS晶圓制造工藝用于充分利用低電壓要求，組件匹配，非常低的輸入失調(diào)誤差以及較小的組件幾何形狀。該設(shè)備要求同時(shí)存在南極和北極磁場(chǎng)。在存在足夠強(qiáng)度的南極性場(chǎng)的情況下，設(shè)備輸出傳感器會(huì)打開(kāi)，并且僅在存在足夠強(qiáng)度的北極性場(chǎng)時(shí)才關(guān)閉。 MH193的額定工作溫度范圍為E溫度范圍–40℃至85℃，K溫度范圍–40℃至125℃?？捎玫膬煞N封裝樣式為大多數(shù)應(yīng)用提供了磁性優(yōu)化的解決方案。封裝SO是SOT-23，這是一種小型的薄型表面貼裝封裝，而封裝UA是三引腳的超小型SIP，用于通孔安裝。包是無(wú)鹵標(biāo)準(zhǔn)，已通過(guò)第三方實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行驗(yàn)證。

MH193特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)

DMOS霍爾IC技術(shù)

斬波穩(wěn)定放大器級(jí)。

針對(duì)BLDC電機(jī)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

在高溫條件下可靠且低檔。

開(kāi)關(guān)失調(diào)補(bǔ)償通常為69kHz

上拉電阻輸出

良好的ESD保護(hù)。

100％在125℃下測(cè)試K。

自定義靈敏度/溫度選擇可用。

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)2011/65 / EU和無(wú)鹵素

MH193應(yīng)用領(lǐng)域

高溫風(fēng)機(jī)電機(jī)

三相BLDC電機(jī)應(yīng)用

速度感應(yīng)

位置感應(yīng)

電流感應(yīng)

革命計(jì)數(shù)

固態(tài)開(kāi)關(guān)

線性位置檢測(cè)

角度位置檢測(cè)

接近檢測(cè)

高ESD能力

MH193型號(hào)

MH193KUA              型號(hào)解釋K (-40℃ to + 125℃) UA (TO-92S)

MH193KSO              型號(hào)解釋K (-40℃ to + 125℃) SO (SOT-23)

MH193EUA              型號(hào)解釋E (-40℃ to + 85℃) UA (TO-92S)

MH193ESO              型號(hào)解釋E (-40℃ to + 85℃) SO (SOT-23)