Diodes金屬氧化物半導體場效應晶體管
Diodes金屬氧化物半導體場效應晶體管普遍稱為金氧半場效應晶體管,金氧半場效應晶體管是一款廣泛用于數(shù)字電路和模擬的場效應晶體管。
金屬氧化物半導體場效應晶體管(簡稱金氧半場效應晶體管;英文:金屬氧化物半導體場效應晶體管,簡稱:MOSFET)是一種能廣泛應用于模擬和數(shù)字電路的場效應晶體管。根據(jù)溝道極性的不同,金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOFET)可分為以電子為主的N溝道型和以空穴為主的P溝道型。它們通常被稱為N型金氧半場效應晶體管(nmosfets)和P型金氧半場效應晶體管(pmosfets)。
根據(jù)金氧半場效應晶體管(MOSFET)的名稱,它實際上給人的印象是錯誤的。因為mosfet和英語單詞“metal”的第一個字母m不存在于大多數(shù)同類的當前組件中。最初的金氧半場晶體管柵采用金屬為材料,但由于多晶硅在工作中更耐高溫,許多金氧半場晶體管柵采用的是后者而不是前者。隨著半導體特性尺寸的縮小,金屬作為柵極材料近年受到了研究者的大量關注。
金氧場效應晶體管在概念上是絕緣柵場效應晶體管(IGFET)。絕緣柵場效應晶體管的柵絕緣層可以是其他材料,而不是“497”半場效應晶體管使用的氧化層。有些人更喜歡使用IGFET,當提到場效應晶體管組件與多晶硅柵,但這些IGFET大多數(shù)指的是金氧半場晶體管。
金氧半場效應晶體管中的氧化物層位于其通道上方。根據(jù)其工作電壓,氧化層的厚度從數(shù)十到數(shù)百個不等。通常,這種材料是二氧化硅。然而,一些先進的工藝,如氮化硅(SiON)已被用作氧化層。
今天,硅通常是半導體元件的首選材料,但一些半導體公司已經(jīng)開發(fā)出使用其他半導體材料的工藝。其中最著名的是硅鍺工藝(SiGe工藝).由國際商業(yè)機械有限公司開發(fā),采用硅鍺混合物。不幸的是,許多具有良好電性能的半導體材料,如砷化鎵,不能用于制造“497”半場效應晶體管元件,因為它們不能在表面生長出高質量的氧化物層。
當柵與金氧半場晶體管的源之間施加足夠大的電位差時,電場在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷,然后形成反向通道(反轉通道)。已經(jīng)形成了。通道的極性與其漏極和源極性相同。如果排水管和水源為N型,則通道也將為N型。形成溝道后,"金氧"半場效應晶體管可以允許電流通過,并且根據(jù)施加到柵極的電壓值,通過"金氧"半場效應晶體管的溝道的電流也可以由其控制。